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AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur eröffnet V.l.n.r.: Dr. Benjamin Fadavian (Bürgermeister Herzogenrath), Dr. Felix Grawert (CEO AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministerin für Wirtschaft, Industrie, Klimaschutz und Energie des Landes Nordrhein-Westfalen), Dr. Christian Danninger (CFO AIXTRON SE) --- Foto: AIXTRON/Friedrich Stark.
Herzogenrath, 13. Dezember 2024 – NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur hat das neue Innovationszentrum von AIXTRON SE (FSE: AIXA) am Firmensitz in Herzogenrath eröffnet. Bei dem offiziellen Termin an diesem Donnerstag zeigten AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert und CFO Dr. Christian Danninger der Ministerin den neuen Forschungs- und Entwicklungskomplex mit 1.000 m² Reinraumfläche. Er bildet die Grundlage für den Übergang zur 300-mm-Wafer-Technologie in der Verbindungshalbleiterindustrie. „Das neue Innovationszentrum von AIXTRON ist ein beeindruckendes Beispiel für die Innovationskraft und Zukunftsfähigkeit der Halbleiterindustrie in Nordrhein-Westfalen. Der Start der 300-mm-Wafer-Technologie ist ein Meilenstein für die Energieeffizienz und Wettbewerbsfähigkeit unserer Region. Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie produzieren.“ sagte Mona Neubaur, Ministerin für Wirtschaft, Industrie, Klimaschutz und Energie und stellvertretende Ministerpräsidentin des Landes Nordrhein-Westfalen. Der Veranstaltung wohnten Vertreter von Politik, der Stadt Herzogenrath, der Industrie- und Handelskammer Aachen sowie Medienvertreter bei. Die Ministerin besuchte AIXTRON im Rahmen einer Innovationstour in Nordrhein-Westfalen. „Mit dem neuen 300-mm-Anlagen tauglichen Reinraum im Innovationszentrum werden wir unsere technologische Marktführerschaft weiter ausbauen“, sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. „Wir verfügen bereits über erste 300-mm-GaN-Prototypenanlagen, die auch schon bei mehreren Kunden in Pilotlinien integriert sind. Und genau hier zeigt sich die Innovationskraft und DNA von AIXTRON. Seit Jahrzehnten arbeiten wir an technologischen Lösungen, ohne dass der Markt seine Anforderungen schon konkret definiert hätte. Damit sind wir in der Lage, unseren Kunden frühzeitig bei ihren Produktentwicklungen zu helfen und innovative Technologien genau zu dem Zeitpunkt marktreif anzubieten, an dem erstmals eine Nachfrage entsteht.“ Spatenstich und Baubeginn des hochmodernen Komplexes, in den AIXTRON aus eigener Kraft rund 100 Millionen Euro investiert, war im November 2023. Das High-Tech-Gebäude ist ausgelegt auf den nächsten großen Schritt in der Verbindungshalbleitertechnik: den wichtigen Übergang auf 300-mm-Wafer für GalliumNitrid (GaN) und weitere Verbindungshalbleiteranwendungen. Das Materialsystem GaN, in dem AIXTRON Technologieführer ist, kommt aufgrund der überragenden Materialeigenschaften in immer mehr Leistungselektronik zum Einsatz. GaN-basierte Halbleiterbauelemente steigern die Leistungsfähigkeit von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, ermöglichen eine effiziente Stromwandlung im Bereich erneuerbarer Energie und eine energiesparende Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft beispielsweise auch bei den Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die sich gerade rasant verbreiten, denn diese benötigen sehr viel Energie. Um sich auf diese Nachfrage vorzubereiten, treibt AIXTRON die Entwicklung der 300-mm-Depositionstechnologie voran. Der größere Waferdurchmesser bietet Kunden einen Flächenvorteil von Faktor 2,25 gegenüber den aktuell verwendeten 200-mm-Wafern. Darüber hinaus können die Kunden ihre bestehenden 300-mm-Fabriken und Anlagen erstmals für die Herstellung von Verbindungshalbleitern benutzen. Dadurch wird die Herstellung von GaN-Halbleiterbauelementen nicht nur kostengünstiger, sondern bietet perspektivisch auch Möglichkeiten für technologische Leistungssteigerungen. „Mit der 300-mm-Wafertechnologie bringen wir zum ersten Mal Verbindungshalbleiter in den Mainstream der Halbleiterherstellung. Das Innovationszentrum ist ein wichtiges Element unserer Strategie, da es den Platz und die technischen Voraussetzungen für Technologien der nächsten Generation bietet. Der Schritt hin zu 300 mm bei Verbindungshalbleitern ist ein Meilenstein, der in den kommenden Jahren zahlreiche Wachstumsmöglichkeiten für die Branche eröffnen wird“, erklärt Professor Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.
Ansprechpartner Christian Ludwig
Über AIXTRON Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen. Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R) Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht. Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.
Ende der Pressemitteilung Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Unternehmen
13.12.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch EQS News - ein Service der EQS Group AG. |
| Sprache: | Deutsch |
| Unternehmen: | AIXTRON SE |
| Dornkaulstraße 2 | |
| 52134 Herzogenrath | |
| Deutschland | |
| Telefon: | +49 (2407) 9030-0 |
| Fax: | +49 (2407) 9030-445 |
| E-Mail: | invest@aixtron.com |
| Internet: | www.aixtron.com |
| ISIN: | DE000A0WMPJ6 |
| WKN: | A0WMPJ |
| Indizes: | MDAX, TecDAX |
| Börsen: | Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC |
| EQS News ID: | 2050501 |
| Ende der Mitteilung | EQS-Media |
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