AIXTRON WKN: A0WMPJ ISIN: DE000A0WMPJ6 Kürzel: AIXA Forum: Aktien Thema: Hauptdiskussion

Ruf doch mal an und frag. Nicht immer hier motzen. Mal Herrn **** anrufen und mal eine Konversation führen und uns danach alles mitteilen

Das ist keine Scheune, sondern ein hochtechnologisierter Reinraum!

Q4 ist gelaufen, könnte ja mal ein Indikation abgegeben werden um die Shorties nervös zu machen!

1000 qm2 --> 100 Millionen Invest. Haben die Goldwasserhähne installiert?

sehr beeindruckendes Beispiel, wenn man den Kursverlauf heranzieht!

Spatenstich und Baubeginn des hochmodernen Komplexes, in den AIXTRON aus eigener Kraft rund 100 Millionen Euro investiert, war im November 2023. Das High-Tech-Gebäude ist ausgelegt auf den nächsten großen Schritt in der Verbindungshalbleitertechnik: den wichtigen Übergang auf 300-mm-Wafer für GalliumNitrid (GaN) und weitere Verbindungshalbleiteranwendungen. Das Materialsystem GaN, in dem AIXTRON Technologieführer ist, kommt aufgrund der überragenden Materialeigenschaften in immer mehr Leistungselektronik zum Einsatz. GaN-basierte Halbleiterbauelemente steigern die Leistungsfähigkeit von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, ermöglichen eine effiziente Stromwandlung im Bereich erneuerbarer Energie und eine energiesparende Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft beispielsweise auch bei den Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die sich gerade rasant verbreiten, denn diese benötigen sehr viel Energie. Um sich auf diese Nachfrage vorzubereiten, treibt AIXTRON die Entwicklung der 300-mm-Depositionstechnologie voran. Der größere Waferdurchmesser bietet Kunden einen Flächenvorteil von Faktor 2,25 gegenüber den aktuell verwendeten 200-mm-Wafern. Darüber hinaus können die Kunden ihre bestehenden 300-mm-Fabriken und Anlagen erstmals für die Herstellung von Verbindungshalbleitern benutzen. Dadurch wird die Herstellung von GaN-Halbleiterbauelementen nicht nur kostengünstiger, sondern bietet perspektivisch auch Möglichkeiten für technologische Leistungssteigerungen. „Mit der 300-mm-Wafertechnologie bringen wir zum ersten Mal Verbindungshalbleiter in den Mainstream der Halbleiterherstellung. Das Innovationszentrum ist ein wichtiges Element unserer Strategie, da es den Platz und die technischen Voraussetzungen für Technologien der nächsten Generation bietet. Der Schritt hin zu 300 mm bei Verbindungshalbleitern ist ein Meilenstein, der in den kommenden Jahren zahlreiche Wachstumsmöglichkeiten für die Branche eröffnen wird“, erklärt Professor Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Herzogenrath, 13. Dezember 2024 – NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur hat das neue Innovationszentrum von AIXTRON SE (FSE: AIXA) am Firmensitz in Herzogenrath eröffnet. Bei dem offiziellen Termin an diesem Donnerstag zeigten AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert und CFO Dr. Christian Danninger der Ministerin den neuen Forschungs- und Entwicklungskomplex mit 1.000 m² Reinraumfläche. Er bildet die Grundlage für den Übergang zur 300-mm-Wafer-Technologie in der Verbindungshalbleiterindustrie. „Das neue Innovationszentrum von AIXTRON ist ein beeindruckendes Beispiel für die Innovationskraft und Zukunftsfähigkeit der Halbleiterindustrie in Nordrhein-Westfalen. Der Start der 300-mm-Wafer-Technologie ist ein Meilenstein für die Energieeffizienz und Wettbewerbsfähigkeit unserer Region. Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie produzieren.“ sagte Mona Neubaur, Ministerin für Wirtschaft, Industrie, Klimaschutz und Energie und stellvertretende Ministerpräsidentin des Landes Nordrhein-Westfalen. Der Veranstaltung wohnten Vertreter von Politik, der Stadt Herzogenrath, der Industrie- und Handelskammer Aachen sowie Medienvertreter bei. Die Ministerin besuchte AIXTRON im Rahmen einer Innovationstour in Nordrhein-Westfalen. „Mit dem neuen 300-mm-Anlagen tauglichen Reinraum im Innovationszentrum werden wir unsere technologische Marktführerschaft weiter ausbauen“, sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. „Wir verfügen bereits über erste 300-mm-GaN-Prototypenanlagen, die auch schon bei mehreren Kunden in Pilotlinien integriert sind. Und genau hier zeigt sich die Innovationskraft und DNA von AIXTRON. Seit Jahrzehnten arbeiten wir an technologischen Lösungen, ohne dass der Markt seine Anforderungen schon konkret definiert hätte. Damit sind wir in der Lage, unseren Kunden frühzeitig bei ihren Produktentwicklungen zu helfen und innovative Technologien genau zu dem Zeitpunkt marktreif anzubieten, an dem erstmals eine Nachfrage entsteht.“

Alles ist besser als runter mittlerweile 😂

Heute passiert da nüscht mehr... sideways

Aix kann man auch bald die Vertrauensfrage stellen..🙈

Da in der aktuellen Pressemitteilung auch von 100mio gesprochen wird gehe ich mal davon aus +-

Meld dich mal beim Aixtron Newsletter an 🤪

Ist es fertig????

Wenigstens ist das Innovationszentrum mal fertig

Kannst gerne anrufen. Kann dir die Nummer geben fon +49 (2407) 9030-6153 mobile +49 (151) 72428238

https://www.boersennews.de/nachrichten/artikel/aixtron-innovationszentrum-von-nrw-wirtschaftsministerin-mona-neubaur-eroeffnet/4642662/?utm_source=BoersennewsShare&utm_medium=App&utm_campaign=News